скачать рефераты

скачать рефераты

 
 
скачать рефераты скачать рефераты

Меню

Широкополосный усилитель скачать рефераты

p align="left">Максимальной температуры коллекторного перехода транзистора V5 в рабочем режиме,

tпpmax5 = tcmax + Rпc Ч Ркрmах5 = 127.051 [°С],

что вполне отвечает соответствующему условию системы.

Теперь становится возможным определить остальные показатели выходного каскада на частоте сигнала. Так напряжение возбуждения выходного каскада Uвxm5 однозначно определяется его входным сопротивлением Rвх5 и током сигнала Iбm5 в цепи базы его активного прибора V5: где:

Uвxm5 = Rbx5 Ч Iбm5,Iбm = Iкm / h21, Rвх = h21 + h21Ч Rэ,

h11 - входное сопротивление биполярного транзистора,

h11 = гб' + гб'э,

гб' - сопротивление "тела" базы,

гб' = фк / Ск,

фк - постоянная времени цепи внутренней паразитной обратной связи,

Ск - емкость коллекторного перехода биполярного транзистора,

гб'э - эквивалентное сопротивление открытого эмиттерного перехода, пересчитанное в цепь базы, I

гб'э = (1 + h21) Ч 26/Iэ [мА],

Rэ = Rэ5 Ч 2 Ч R2/ (Rэ5 + 2 Ч R2)

А коэффициент передачи напряжения выходного каскада (К5), организованного по схеме эмиттерного повторителя, менее единицы:

К5 = U2m / Uвхm5 = Ч U2/Uвхm5

rб' = фк / Ск = 10 [Ом],

h11 = rб' + (1 + h21) Ч 26/Iэ [мА] = 86.05 [Ом],

Rэ = Rэ5 Ч 2 Ч R2/ (Rэ5 + 2 Ч R2) = 236.364 [Ом],

Rвх5 = h11 + h21 Ч Rэ = 17,58 [кОм],

Iбm5 = Iкm5/h21 = 0.329 [мА],

Откуда Uвхm5 = Rвх5 Ч Iбm5= 5,786 [В].

т.е. К5 = Ч U2/Uвхm5 = 0.501.

Амплитуда тока сигнала в нагрузке

I2m = *U2/R2 =10 [мА].

Предоконечный каскад.

Рассчитаем показатели режима работы предоконечного каскада, выполненного на транзисторе V4 по схеме с ОЭ учитывая, что выходной и предоконечный каскады связаны по постоянному току. В качестве исходных данных для расчета предоконечного каскада используем результаты расчета выходного каскада. При этом учтем, что для повышения энергетической эффективности резисторных усилительных каскадов с непосредственными связями, при работе последних в режиме класса А, целесообразно следующее соотношение между токами покоя в цепи коллектора для каждого из (соответственно предыдущего и последующего) каскадов усиления:

{Iк (n - 1) ? 0.1 Ч Iк (n), Iк ? 1мА

где:

(n), (n - 1) - порядковые номера каскадов усиления разрабатываемого усилителя.

При этом снижение токов покоя коллектора транзисторов любого из каскадов усиления ниже уровня 1к = 1 мА не рационально, поскольку приводит к ухудшению частотных, усилительных и шумовых характеристик применяемых транзисторов.

Принимаем Iк4 = 2,6 мА.

Поскольку предоконечный и выходной каскады усилителя не имеют разделительных элементов по постоянному току, нестабильность режима покоя транзистора V4 передается на вход выходного каскада и усиливается в нем. Для уменьшения этого явления глубина местной гальванической последовательной по току ООС, обеспечивающей стабилизацию режима покоя предоконечного каскада, должна быть максимизирована. Поэтому в рамках рекомендуемого для схем с эмиттерной стабилизацией соотношения:

Uэ ? (15 ч 25)% Ео,

действующего в резисторных каскадах с непосредственными связями, выбор величины напряжения гальванической ООС, выделяющегося на резисторе Rэ4, целесообразно задать следующим образом:

Uэ4 = 25% (Е01 + Е02) =9 [V].

Откуда легко определить саму величину указанного резистора как:

Rэ4 = Uэ4/ (Iэ4 + Iд),

где:

Iэ4 - ток покоя эмиттера транзистора V4,Iд - ток базового делителя транзистора V3. Полагая Iэ4 ? Iк4, Iэ4 >> Iд находим: Rэ4 = Uэ4/Iк4 = 3462 [Ом],

В соответствии со стандартным рядом номиналов Е24 по ГОСТ 10318-80 принимаем значение резистора Rэ4 = 3.3 [кОм].

Для определения элемента цепи связи предоконечного и выходного каскадов по постоянному току (Rф4 + Rk4) воспользуемся очевидным соотношением:

Iк4 Ч (Rф4 + Rk4) = Uбэ5 + Uэ5,где:

Uбэ5 - напряжение покоя базы транзистора V5,Rф4 - резистор развязывающего фильтра по цепи питания транзистора V4,Rк4 - резистор, выделяющий усиленный сигнал в цепи коллектора транзистора V4.

При типовом для кремниевого транзистора значении:

Uбэ = (0.6 ч 0.8) В,

принимаем Uбэ5 = 0.7 В.

После подстановки имеем (Rф4 + Rк4) =4.115 [кОм].

Задаваясь сопротивлением развязывающего фильтра по цепи питания коллектора транзистора V4 от источника питания +Е01:

Rф4 = 900 [Ом],

что соответствует стандартному ряду номиналов Е24 по ГОСТ 10318-74, находим величину резистора связи в цепи коллектора предоконечного каскада:

Rk4 = (Rф4 + Rk4) - Rф4 = 3.215 [кОм].

В соответствии со стандартным рядом номиналов Е24 по ГОСТ 10318-80 принимаем значение резистора Rk4 = 3300 [Ом].

Поскольку выходной каскад организован по схеме эмиттерного повторителя, формирование заданного ТЗ выходного напряжения разрабатываемого усилителя фактически осуществляется предо конечным усилительным каскадом, коэффициент усиления напряжения в котором, в этой связи, должен быть не менее: К4 ? 1/К5 = 2.1.

Принимаем К4 = 2.1

Поскольку коэффициент усиления напряжения в резисторном каскаде, выполненном по схеме с ОЭ. охваченном на частоте сигнала последовательной по переменному току отрицательной обратной связью (ООС).

Практически однозначно определяется соотношением резисторов в цепях коллектора и эмиттера:

К4 = [Rk4 Ч Rbx5/ (Rk4 + Rbx5)] / R'э4.

Легко определить номинал резистора последовательной по переменному току ООС в цепи эмиттера:

R'э4 = [Rk4 Ч Rbx5/ (Rk4 + Rbx5)] / K4=1323 [Ом].

В соответствии со стандартным рядом номиналов Е24 по ГОСТ 10318-80 принимаем значение резистора R'э4 = 1300 [Ом].

Уточняя значение К4, имеем:

К4 = [Rk4 Ч Rbx5/ (Rk4 + Rbx5)] / R'э4 = 2,137

Тогда оставшаяся часть сопротивления эмиттерной стабилизации режима покоя транзистора V4 предоконечного каскада составит:

R"э4 = Rэ4 - R'э4 = 2000 [Ом].

Что соответствует стандартным рядом номиналов Е24 по ГОСТ 10318-74.

Будучи зашунтированным по переменному току во всем ДРЧ разрабатываемого усилителя соответствующей емкостью (Сф4) последний одновременно выполняет функции резистора развязывающего фильтра в цепи питания эмиттера транзистора V4 предоконечного каскада от источника питания (минус Е02).

Для того, чтобы сформулировать требования к усилительному прибору предоконечного усилительного каскада (транзистору V4), рассчитаем остальные показатели его работы по постоянному и переменному току. Так найденное ранее напряжение возбуждения оконечного каскада Uвxm5 однозначно определяет амплитуду переменной составляющей тока коллектора транзистора V4:

Iкm4 = Uвxm5/Rk4 + Iбm5 = 2.082 [мА],

Учитывая напряжение ООС, выделяющееся на резисторе Rэ4 в цепи эмиттера, при протекании через него тока сигнала:

Uэm4 = Iкm4 Ч R'э4 = 2.707 [В],

на основании закона Кирхгофа для контура тока Iкm4 можно найти амплитуду переменной составляющей напряжения на участке коллектор - эмиттер транзистора V4 и определить для него баланс мощностей:

Uкэm4 = Uэm4 + Uвхm5 = 8.493 [В].

Проверим, обеспечивается ля достаточный запас, с точки зрения остаточного напряжения, для чего предварительно найдем напряжение покоя коллектор - эмиттер транзистора V4, равное

Uкэ4 = (Е01 + Е02) - Iк4 Ч (Rф4 + Rk4) - Uэ4 = 16.08 [В].

Очевидно, что для нормальной работы транзистора V4 необходимо выполнение условия:

Uкэ4 - Uкэm4 = 15.9 - 1,44? 7.587 [В] > (1.5 ч 3) В.

Теперь определим максимальную величину тока в цепи коллектора транзистора V4, которая может достигать:

iкmax4 = Iк4 + Iкm4 = 4,682 [мА],

а максимальное напряжение, развиваемое на участке коллектор-эмиттер транзистора V4, может составить

Uкэmах4 = Uкэ4 + Uкэ4m = 24,573 [В].

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора V4 в рабочем режиме Pкрmax4, в соответствии с (4), равна:

Pкрmax4 = Uкэ4 Ч Iк4 = 16.08 Ч 2.6 = 42 [mW],.

Тогда совокупность требований, предъявляемых к транзистору V4 можно представить в виде: Ркmах4 = 42 мВт, Uкэmах4 > = 24,573 В, Iкmax4 > = 4,682 мА, tпmах4 > tпpmax4,f h21 > (1,5 ч 3) fв = (11.25 ч 22.5) [МГц],

Анализируя указанную совокупность неравенств, убеждаемся, что в качестве транзистора V4 целесообразно использовать маломощный высокочастотный кремниевый эпитаксиально-планарный п-р-п транзистор типа КТ3102А, основные эксплуатационные параметры которого следующие:

Pкmax,

мВт

fh21,МГц

fт,

МГц

Uкэmax, В

Iкmax мА

tпmax

oC

Rпс, oC/мВт

Iкб0,мкА

Ck

пФ

фк

пс

h21

h21min

h21max

170

5.0

800

25

50

150

0.8

0,1

1.5

15

100

158

250

Что касается максимальной температуры р-n перехода в рабочем режиме, то для заданного ТЗ рабочего диапазона температур (+5 - +45) °С. при отсутствии радиатора она составит: tпpmax4 = tcmax + Rncmax х Ркрmах4 = 78.446 °С, т.е. не превосходит предельно допустимой справочной величины.

Входной, промежуточный усилительный и дифференциальный каскады

Расчет каскадов предварительного усиления производится на основании условий технического задания и данных полученных при расчете каскадов усиления мощности.

При расчете показателей режима работы входного и промежуточных усилительных каскадов необходимо принять во внимание, что все они связаны по постоянному току, поэтому нестабильность режима работы транзисторов каждого предыдущего усилительного каскада передается (и усиливается) в каждом последующем каскаде. Для уменьшения этого явления глубина местной гальванической ООС в каждом из указанных каскадов должна быть максимизирована, а последний из каскадов промежуточного усиления строится по дифференциальной схеме. Кроме того, поскольку основное усиление по напряжению реализуется именно в этих каскадах (усиление в предоконечном и выходном каскадах мало), местных гальванических ООС, необходимых для стабилизации токов покоя активных приборов V1 - V3 оказывается не достаточно. Поэтому все три упомянутых усилительных каскада, кроме того, охвачены петлей общей гальванической ООС. В этих условиях расчет режимов покоя транзисторов VI - V3 необходимо осуществлять одновременно.

В качестве исходных данных для расчета режимов работы этих транзисторов используем результаты расчета предоконечного каскада и соображения. В этой связи, принимаем токи покоя коллекторов транзисторов V3' и V3" несимметричного дифференциального каскада, выполненного на их основе, соответственно равными:

Iк3' = Iк3" = 1 [мA].

Очевидно, что все сказанное для дифференциального усилительного каскада в равной степени относится ко входному и первому промежуточному усилительным каскадам, которые, работая с активными приборами, включенными соответственно по схеме с общим истоком (V1) и общим эмиттером (V2), обеспечивают основное усиление входного сигнала по току. Руководствуясь упомянутыми выше соображениями принимаем:

Icl = Iк2 = 1 [мА].

Учитывая, что транзисторы V1 - V3 участвуют в усилении слабых сигналов, условия выбора типа активных приборов входного и промежуточных усилительных каскадов можно ограничить самыми общими соображениями. Так, при принятых значениях токов покоя в выходных цепях транзисторов V1чV3 максимальные мощности, рассеиваемые на стоке и коллекторах соответствующих транзисторов в рабочих режимах, не могут превосходить мощностей, потребляемых от источников питания Е0:

РкрmахЗ < Ро3 = (Е01 + Е02) Ч Iк3 = 36 [мВт]

Ркрmах2 < Ро2 = Е01 Ч Iк2 = 18 [мВт]

Pcpmaxl < Pol = (Е01 +Е02) Ч Iс1 = 36 [мВт],

а максимальные напряжения участков сток - исток и коллектор - эмиттер соответственно, не могут превосходить напряжений соответствующих источников питания: UкэmахЗ, Ucиmaxl < (36), Uкэmах2 < 18.

Очевидно, что с точки зрения максимальных величин тока стока и токов коллекторов транзисторов каскадов предварительного усиления, а также предельной температуры коллекторных переходов последних во всем диапазоне рабочих температур, выбор типов транзисторов носит не критичный характер. При прочих равных условиях, выбор типа активных приборов промежуточных усилительных каскадов производиться исходя из условий обеспечения максимального усиления в максимально широкой полосе частот. При выборе типа транзистора входного усилительного каскада существенным является также требование обеспечения низкого уровня его собственных шумов во всем диапазоне рабочих частот усилителя при приемлемом, с точки зрения величины выходного сопротивления источника сигнала, значении его входного сопротивления.

Учитывая вышеизложенное, выбираем в качестве активных приборов каскадов предварительного усиления p-n-p транзистор типа KT363Б (V3' и V3") и n-p-n транзистор КТ3106А.

Транзистор KT363Б (p-n-р).

Pкmax,

мВт

fh21,МГц

fт,

МГц

Uкэmax В

Iкmax м А

tпmax

oC

Rпс, oC/мВт

Iкб0,мкА

Ck

пФ

фк

пс

h21

h21min

h21max

150

21,7

1500

15

30

150

0,7

0,5

2

75

40

69

120

Транзистор КТ3106А (n-p-n).

Pкmax,

мВт

fh21,МГц

fт,

МГц

Uкэmax В

Iкmax м А

tпmax

oC

Rпс, oC/мВт

Iкб0,мкА

Ck

пФ

фк

пс

h21

h21min

h21max

30

19

1900

15

20

150

2,5

0,5

1,3

8

50

100

200

Страницы: 1, 2, 3