Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата
p align="left">B = lOP + 2•Хпер(К-П)=4 + 2 • 2 = 8 мкм.Окончательно: lКК = 8 мкм lК2 = 97,5 мкм ln+ = 12 мкм lOP = 4 мкм lКП= 13 мкм lК1= 106 мкм в = 8 мкм Расчет геометрических размеров резисторов Расчет геометрических размеров интегрального полупроводникового резистора начинают с определения его ширины. За расчетную ширину b резистора принимают значение, которое не меньше наибольшего значения одной из трех величин: bтехн, bточн, bр, т.е. , где bтехн - минимальная ширина резистора, определяемая разрешающей способностью технологических процессов (4 мкм); bточн - минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров; bр - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния. Расчет геометрических размеров резистора R1-R3, R5, R6 (Б.О.): Расчет геометрических размеров резистора R4(Б.О.): Расчет геометрических размеров резистора R7-9(Б.О.): Расчет геометрических размеров конденсаторов Рис.13 Тип конденсаторов выберем на основе базово-коллекторного перехода, т.к. он обладает высокой добротностью, достаточным пробивным напряжением и средней удельной емкостью Расчет топологии полупроводникового кристалла 1. Определим площадь, занимаемую элементами на кристалле. Площадь, занимаемая активными элементами: , где - площадь одного транзистора; n - число активных элементов. 2. Определим площадь под диоды: где - площадь одного диода; 3. Определим площадь под резисторы: где m - число резисторов. 3. Определим площадь под конденсаторы: 4. Площадь активной зоны: К - коэффициент запаса, зависит от плотности разводки металлизации. Процесс сборки упрощается при квадратной форме кристалла: Интегральная схема 13 выводов (контактных площадок). При термокомпрессии проводом 28 мкм ширина площадки будет равна , где D - диаметр проволоки; K - коэффициент, равный отсюда с запасом 100 мкм. Расстояние между центрами контактных площадок не менее 200 мкм. Линия скрайбирования для уменьшения вероятности скола взята шириной 100 мкм. Примечания: 1. Проводники металлизации алюминием выполняются толщиной 1 мкм. Ширина проводника определяется из соотношения (находится в пределах 10:20 мкм). 2. Нумерация выводов на кристалле может начинаться с любого угла и должна идти по порядку (по часовой стрелке). 3. В случае пересечения - выполнять его над резистором, кроме проводников питания, которые над резистором выполнять не рекомендуется. Пример выполнения пересечения над резистором: Рис.14 Технологические процесс изготовления ИМС |
А | 005 | Комплектование | | Б | | Комплектовочный стол | | О | | Формировать партию пластин. Уложить в тару цеховую. | | А | 010 | Гидромеханическая отмывка пластин | | Б | | Ванна с раствором ситанола АЛМ-10 | | О | | Операция выполняется в растворе ситанола АЛМ-10 в деионизированной воде с помощью щеток для удаления механических загрязнений и увеличения смачиваемости поверхности пластин. | | А | 015 | Химическая обработка | | Б | | Оборудование -- линия “Лада-125” | | О | | Обработка пластин смесью Каро (H2SO4+H2O2) и перикисьно-амиачной смесью для удаления любых органических загрязнений с поверхности полупроводниковых пластин при температуре 90 єС. | | А | 020 | Сушка | | Б | | Сушильный шкаф | | О | | Операция проводится сначала в парах этилового спирта, а затем в потоке горячего осушенного азота в центрифуге при частоте обращения 20000 оборотов в минуту. | | А | 025 | Окисление | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Окисление проводится в два этапа: - газовая полировка(проводится в специальных печах); устанавливается нужное распределение температуры и печи с потоком азота; устанавливается поток газа-носителя (водород, 8 л/мин; печь с внутренним диаметром трубы 35 мм), а поток азота перекрывается; вносят лодочку с пластинами и выжидают 5 мин до установления теплового равновесия; к газу-носителю добавляют требуемый поток хлористого водорода; полируют в течение 10 мин (обычная продолжительность полировки); прекращают поток НСl и вынимают пластины. Скорость полировки зависит от температуры и концентрации хлористого водорода. Удельное сопротивление, тип проводимости и поверхностная обработка кремния не оказывают заметного влияния на скорость полировки. Качество полировки связано с чистотой хлористого водорода. В выпускаемом промышленностью хлористом водороде иногда присутствует ацетилен; это нежелательно, поскольку приводит к образованию матовых поверхностей. Нежелательным является также наличие двуокиси углерода и воды. - Окисление От газовой полировки можно переходить сразу к процессу окисления простым изменением состава газового потока. При этом не требуется вынимать пластины из печи. Для быстрого получения качественной плёнки, окисление производят сначала в сухом кислороде для формирования пленки, затем длительно окисляют во влажном кислороде и окончательной стадией является формовка окисла в сухом кислороде. | | А | 030 | Первая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | С использованием фотолитографии проводится легирование локальных областей подложки с целью создания скрытых слоёв Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот. Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске. | | А | 035 | Диффузия бором, I стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | При диффузии в качестве источника диффузанта используется ВВrз. Диффузия проводится в две стадии. Первый этап двухстадийной диффузии, для создания поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации - источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 960єС в течение 40 мин. | | А | 040 | Снятие боросиликатного стекла | | Б | | Установка “08 ПХО 100Т-001” | | О | | С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для травления используется плави-ковая кислота HF. | | А | 045 | Диффузия бором, II стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Разгонка бора и формирование области скрытого слоя. Боковая диффузия составляет 5,2 мкм. Общее увеличение размера рисунка на пластине относительно фотошаблона ?l=6 мкм. Для разгонки примеси пластины подвергают высокотемпературному нагреву, которым одновременно осуществляется и отжиг. Во время разгонки происходит окисление кремния. | | А | 050 | Эпитаксия | | Б | | Установка эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек - ЕТМ 150/200-0,1 | | О | | Наращивание на поверхность пластины эпитаксиальной плёнки n-типа толщиной 9 мкм. | | А | 055 | Окисление | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Операция проводится в потоке хлороводорода для получения пленки двуокиси кремния на поверхности полупроводниковых пластин, которая будет использоваться в качестве маски в процессе диффузии. Толщина получаемого окисла 0,8 мкм. На ней в процессе второй фотолитографии формируется защитная маска под локальную (разделительную) диффузию бора с целью создания изолирующих областей р-типа. Окисление проводится в потоке кислорода с изменением его влажности в три этапа: сухой -- влажный -- сухой. | | А | 060 | Вторая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Получение рисунка изолирующих областей. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот. Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске. | | А | 065 | Разделительная диффузия бором, I стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | В качестве источника диффузанта используется ВВr3. Диффузия проводится в две стадии. Первый этап двухстадийной диффузии предназначен для создания поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации - источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 940єС в течение 35 мин. | | А | 070 | Снятие боросиликатного стекла | | Б | | Установка “08 ПХО 100Т-001” | | О | | С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для травления используется плави-ковая кислота HF. | | А | 075 | Разделительная диффузия бором, II стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | В процессе второй стадии диффузии, проводи-мой, в отличие от первой, в окислительной среде, создается новая пленка SiO2, выполняющая в дальнейшем не только маскирую-щие, но и защитные функции. После разделительной диффузии образуются диффузионные слои р-типа с сопротивлением 2 ... 12 Ом/?. Второй этап двухстадийной диффузии - перераспределение примеси на определенную глубину (формирование области разделения). Проводится при температуре 1050єС с одновременным термическим оксидированием в течение 24 мин. | | А | 080 | Третья фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Аналогично операции 060. Используется набор фотошаблонов для получения рисунка базовых областей n-p-n транзисторов, конденсаторов и р-кармана для изготовления резисторов (без снятия ф/р). Увеличение размера на пластине относительно фотошаблона ?l=0,6 мкм. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот. Травление двуокиси кремния. Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7 Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске. | | А | 085 | Химическая обработка | | Б | | Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП | | О | | Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деонизированной воде. | | А | 090 | Диффузия бором, I стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Аналогично операции 065. Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов используются ВВг3 и РС13 (или РОС13). Диффузи-онный процесс получения базовой области проводится также в две стадии. На первой стадии создается сильно легированный тонкий слой р+-типа с сопротивлением около 90 Ом/. Температура 800єС, время 52 мин. | | А | 095 | Снятие боросиликатного стекла | | Б | | Установка “08 ПХО 100Т-001” | | О | | На этой стадии для удаления боросиликатного стекла используется химическое травление в растворе следующего состава: 10 частей HNO3, 15 частей HF и 300 частей Н2О. Этот раствор с высокой скоростью травит боросиликатное и фосфоросиликатное стекла, практически не разрушая SiO2. | | А | 100 | Диффузия бором, II стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Вторая стадия диффузии, в процессе которой толщина слоя увеличивается до 1,8... 2,2 мкм, а его удельное сопротивление (в результате перераспределения бора) повышается до 170... 330 Ом/. Поскольку вторая стадия проводится в окислительной среде, на поверхности кремния образуется пленка SiO2 толщиной около 0,4 мкм. Температура 1000єС, время 255 мин. | | А | 105 | Четвертая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Аналогично операции 060. Используется набор фотошаблонов для получения рисунка эмиттерных областей транзисторов, а также областей n+ конденсаторов. На ее основе формируется маска для проведения локаль-ной диффузии при создании эмиттерной области. Толщина диффу-зионного эмиттерного сдоя 1,0...1,4 мкм, удельное сопротивление слоя 3 ... 5 Ом/. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот. Травление двуокиси кремния. Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7 Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске. | | А | 110 | Химическая обработка | | Б | | Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП | | О | | Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деионизированной воде. | | А | 115 | Диффузия фосфором, I стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Аналогично операции 065. Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов используется РС13. Диффузи-онный процесс получения эммитерной области проводится также в две стадии. Первый этап двустадийной диффузии для создания поверхностного слоя повышенной концентрации легирующей примеси - источника примеси для второго этапа. Проводится при температуре 1050єС в течение 20 мин. | | А | 120 | Диффузия фосфором, II стадия | | Б | | Диффузионная печь СДО-125/3-12 | | О | | Второй этап диффузии - «разгонка» фосфора. Проводится при температуре 1000єС с одновременным термическим оксидированием в течение 22 мин. | | А | 125 | Пятая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Вскрытие контактных окон к соответствующим диффузионным областям. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот. Травление двуокиси кремния. Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7 Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А. | | А | 130 | Химическая обработка | | Б | | Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП | | О | | Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и промывкой в деионизированной воде. | | А | 135 | Напыление алюминия | | Б | | Установка “Магна 2М” | | О | | Электрическая разводка создается напылением алюминия. Проводится за счет приложения магнитного поля, с помощью Установки “Магна 2М”. Толщина слоя алюминия 1,2±0,1 мкм. | | А | 140 | Шестая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Фотолитография по пленке алюминия для создания рисунка разводки и контактных площадок. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси органических кислот. Травление алюминия. Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду Б. | | А | 145 | Пассивация | | Б | | Вертикальный реактор с инфракрасным нагревателем установки осаждения УО-15. | | О | | Осаждение низкотемпературной пленки двуокиси кремния на всю поверхность полупроводниковой пластины. Операция проводится в среде азота при температуре 475єС для растворения тонкой пленки двуокиси кремния. | | А | 150 | Седьмая фотолитография | | Б | | Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” | | О | | Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам. Подготовка пластин к нанесению фоторезиста. Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений. Нанесение фоторезиста дискретное. Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100. Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное. Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста. Проявление и термообработка фотослоя. Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа: 1-й этап: 30 минут при температуре 90єС. 2-й этап: 60 минут при температуре 150єС Контроль горизонтальных размеров рисунка. Удаление фоторезиста в смеси органических кислот. Травление пленки двуокиси кремния. Контроль фотолитографии. Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске, произвести по виду А. | | А | 155 | Контроль электрических параметров микросхемы. | | Б | | Установки: система измерительная Н2001 (“Интеграл”); зонд измерительный ОМ6010; | | О | | Настроить зонд по расположению контактных площадок на кристалле. Провести контроль токов I5=15 мА, I13 =10 мА и напряжений U5=4±0,5 B, U13=15±0,5 B на 5й и 13й контактных площадках соответственно. В случае если параметры кристалла не соответствуют нормам, он закапывается специальными магнитными чернилами. | | А | 160 | Скрайбирование | | Б | | Установка скрайбирования «ЭМ-210», микроскоп «ММУ-3», полуавтомат «ПЛП-3». | | О | | Для разделения пластин на кристалы используется лазерное скрайбирование, для данного метода необходим твердотельный лазер (оптический квантовый генератор ОКГ) активный элемент которого, выполнен из алюминиевого граната с примесью неодима (АИГ:Nd), а длина волны составляет 1,06 мкм. На пластины наносят на центрифуге защитное покрытие для предохранения структур от повреждения. Пластины закрепляют вакуумным прижимом на столе установке Проводят скрайбирование, Скорость скрайбирования в пределах от 100 до 200 мм /сек. Скрайбирование целесообразно производить на установке ЭМ-210, позволяющей скрайбировать пластины диаметром 100 мм и толщиной 460 мкм за 3 прохода при скорости скрайбирования 120 мм/сек и глубине 100 мкм /проход Контроль качества скрайбирования производится при помощи микроскопа ММУ-3. Осуществляют разламывание пластин на кристаллы, на полуавтомате ПЛП-3. При этом необходимо соблюдать следующие режимы: сила нажатия на пластины должна быть в пределах от 100 до 1500 Н, а скорость движения ленты с пластиной порядка 40 мм/сек. | | А | 165 | Контроль | | Б | | Микроскоп «ММУ-3» | | О | | Контроль кристаллов производится при помощи микроскопа ММУ-3. Кристаллы, закапанные магнитными чернилами удалить. | | А | 170 | Сборка | | Б | | Установка термокомпрессионной сварки «ЭМ-439М» | | О | | Кристалл крепить к ситалловой подложке клеем ВК-32-200. Положку с кристаллом крепить к выводной рамке клеем ВК-32-200. Разваривать выводы кристалла с помощью алюминиевой проволоки к выводной рамке методом термокомпресии. | | А | 175 | Маркировка | | Б | | Маркировочный стол | | О | | Маркировать серийный номер микросхемы краской | | |
Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом Структура биполярного транзистора микросхемы рассмотрена на рис.15. Схема технологического процесса представлена в графической части (лист - 3). Рис.15. Упрощенная структура кристалла Заключение В данной работе произведен анализ функционирования ИМС, рассчитаны элементы схемы и разработаны топология кристалла и конструкция микросхемы, что позволяет изготовить рабочие фотошаблоны. Разработан технологический процесс изготовления кристалла. При разработке технологического процесса большое внимание обращалось на безопасность труда и уменьшение влияния техпроцессов на окружающую среду. Список литературы Коледов Л.А. - Конструирование и технология микросхем.М.: Высшая школа, 1984. А.В. Нефедов, В.И. Гордеева - Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналогии, М.: Радио и связь, 1990. Пономарев М.Ф. « Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА» М: Радио и связь, 1982г. Агахонян Г.М. « Интегральные микросхемы » М: Энергоатомиздат, 1983г. Коледов Л.А. «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок» М: Радио и связь, 1989г.
Страницы: 1, 2
|
|