Большая База Данных Рефератов - Расчет и проектирование диода на основе кремния

Расчет и проектирование диода на основе кремния

зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (р-n переход смещен в обратном направлении) и проводящем состоянии (р-n переход смещен в прямом направлении), при условии, что значения приложенного напряжения и протекающего тока будут находиться в допустимых пределах. При изменении полярности напряжения, приложенного к внешним выводам, диод может находиться в динамическом состоянии выключения (смещение р-n перехода изменяется с прямого на обратное) и в динамическом состоянии включения (смещение р-n перехода меняется с обратного на прямое). Реальный силовой диод имеет структуру, показанную на рис. 2.1, б. Рассмотрим (упрощенно) процессы, происходящие в диоде при различной полярности приложенного к нему напряжения.

Непроводящее состояние силового диода. Под воздействием обратного напряжения UR в диоде происходит расширение ООЗ (области объемного заряда), которое продолжается до тех пор, пока падение напряжения в ООЗ не станет равным UR, при этом особенность силовых диодов такова, что расширение ООЗ происходит в основном в сторону низкоомной n-области, называемой базой диода. В связи с тем что ширина ООЗ wsc связана с величиной UR известным соотношением [5]

wsc=0,52vpUR, (1.1)

где wsc выражена в микрометрах, р - удельное сопротивление материала n-базы дано в омах на сантиметр и UR-в вольтах, становится ясно, что чем более высоковольтным является диод, тем толще он должен быть. Существует ряд факторов, ограничивающих максимально возможное обратное напряжение, которое может быть приложено к диоду. Одним из важнейших для силовых диодов оказывается явление лавинного пробоя. Суть его состоит в следующем. По мере увеличения прикладываемого к диоду напряжения растет не только ширина ООЗ, но и максимальное электрическое поле внутри этой области. Когда напряженность этого поля начинает превосходить некоторые критические значения (обычно лежащие в диапазоне (0,5-1)·105 В/см), возникает лавинное умножение носителей. (Физически этот процесс обусловлен тем, что энергия, приобретаемая подвижным носителем заряда под действием поля за время свободного пробега, становится достаточной для генерации электронно-дырочной пары. В свою очередь, возникшие электрон и дырка вновь разгоняются и рождают ещё по паре носителей и т. д.) В результате лавинного умножения ток через диод лавинообразно нарастает. Обычно явление лавинного умножения описывают, вводя коэффициенты размножения дырок Мр и электронов Мn, определяемые по довольно сложным формулам [6].

Другими важными факторами, ограничивающими напряжение, которое может быть приложено к диоду, являются процессы, происходящие на его поверхности. Дело в том, что, если не принимать специальных мер, пробой вблизи поверхности полупроводника наступает значительно раньше, чем в его объеме. Чтобы избежать этого, силовые диоды имеют специальный профиль поверхности - фаску (рис. 1.5), которая позволяет избежать наступления поверхностного пробоя.

Рисунок 1.5 - Геометрия реального высоковольтного диода

Ток через диод IR к которому приложено обратное напряжение, складывается в общем случае из трех компонент: диффузионного тока Id, тока генерации в ООЗ Isc и тока поверхностной утечки Is:

IR = Id+Isc+Is.

Каждая из компонент IR по-разному зависит от таких внешних факторов, как напряжение и температура. Кроме того, если для диффузионного и генерационного токов их теоретические зависимости от температуры и напряжения известны [9], то построить такую зависимость для поверхностного тока пока не удалось. Среди причин этого следует указать на тот факт, что в ток Is входят токи утечек через неконтролируемые примеси на поверхности диода. К этому следует добавить, что все теоретические формулы позволяют рассчитать плотности соответствующих токов, однако для расчета полного тока надо еще знать площадь, через которую соответствующий ток протекает. К сожалению, эта величина обычно не известна, так как есть веские основания считать, что ток IR может протекать не по всей площади диода. Все это приводит к тому, что ток IR рассматривают обычно как сугубо экспериментальную характеристику диода. Его температурную зависимость чаще всего аппроксимируют выражением [2]

IR(T)=IR(T0)ехр[а(T-T0)], (1.2)

где IR(T)-ток IR при температуре полупроводника, равной Т; а коэффициент, лежащий в диапазоне 0,03-0,08 К-1.

В отличие от вольтамперной характеристики (ВАХ), показанной на рис. 1.4, в реальных высоковольтных диодах часто не наблюдают резкого излома ВАХ, т. е. зависимость тока от напряжения. ВАХ такого вида называют «мягкой» характеристикой.

Проводящее состояние силового диода.

Под воздействием прямого напряжения потенциальный барьер уменьшается, в результате чего концентрация неосновных носителей у границ р-n перехода (дырок в n-области и электронов в р-области) экспоненциально возрастает. Это явление называют инжекцией неосновных носителей заряда. Инжектированные носители начинают диффундировать в глубь полупроводника возникает ток через диод. Приборы имеют толстую базу, падение потенциала на которой приводит к весьма сложной связи между плотностью прямого тока через диод и падением напряжения UF на нем [4]. Нам достаточно отметить следующее.

Самой распространенной практической аппроксимацией ВАХ диода в прямом направлении является линейная аппроксимация [4]

UF=UFO + rFIF, (1.3)

где UFO-nороговое напряжение диода; rF-дифференциальное прямое сопротивление диода.

Cтепенная аппроксимация ВАХ, которая в некоторых случаях может оказаться более близкой к экспериментальным данным:

U=KINF, (1.4)

где К и N-константы. Значения N в случае использования аппроксимации лежат в диапазоне 0,3-0,8. На рис. 1.6 приведены реальная ВАХ тиристора типа Т173-1250 и ее линейная и степенная аппроксимации.

Рисунок 1.6 - Вольт-амперная характеристика тиристора типа Т173-1250 в открытом состоянии и ее линейная (-·-·-) и степенная (------) аппроксимации: Uт = 0,119i0,32

С ростом температуры прямое падение напряжения, как правило, увеличивается. Эту зависимость обычно получают из эксперимента, так как корректная теоретическая модель температурной зависимости прямого падения напряжения в настоящее время отсутствует.

Важным для понимания работы диода является то, что при больших плотностях тока в его слоях происходит накопление подвижных носителей заряда. Явление накопления заряда, как показано далее, существенно влияет на процесс выключения силового диода, при этом основное влияние на характеристики диода оказывает накопленный в n-базе заряд дырок: Qp. Это обусловлено относительно большей инжекцией из более сильнолегированного р-слоя, меньшей подвижностью дырок по сравнению с электронами, большей толщиной n-слоя и большим временем жизни дырок в нем.

Накопленный заряд Q зависит от прямого тока через диод и в стационарных условиях остается постоянным, так как процесс инжекции неосновных носителей заряда уравновешивается процессом их рекомбинации.

Переходный процесс включения силового полупроводникового диода. Под процессом включения диода понимается динамический процесс перехода диода из непроводящего состояния в проводящее.

При изменении полярности напряжения источника с обратной на прямую из-за инжекции неосновных носителей заряда электропроводность полупроводниковой структуры диода резко увеличивается и через него начинает протекать прямой ток IF. Физические процессы в самом диоде могут оказывать влияние на процесс нарастания прямого тока только при временах до нескольких десятков микросекунд. За это время заканчивается процесс модуляции проводимости диода, после чего скорость нарастания прямого тока, а также его установившееся значение определяются напряжением источника питания и сопротивлением внешней цепи (при условии, что прямым напряжением на диоде можно пренебречь из-за его малости).

Отметим, что между нарастающим прямым током в процессе установления проводящего состояния диода и падением напряжения на нем наблюдается емкостный сдвиг по фазе, обусловленный наличием диффузионной емкости Сd Эта емкость определяется как отношение приращения заряда избыточных неосновных носителей, накопленных в р- и n-слоях структуры, к соответствующему приращению прямого напряжения на р-n переходе.

1.5 Низкочастотные параметры диода

Сопротивление диода представляет собой простое дифференциальное сопротивление диода, то есть сопротивление диода малому переменному току при постоянном смещении.

Диффузионную емкость обычно связывают с изменением заряда инжектированных носителей при изменении напряжения на диоде. Действительно, инжектированные носители в течение некоторого времени существуют в областях диода, примыкающих к p-n - переходу. При изменении напряжения часть накопленных неосновных носителей может возвратиться в p-n - переход и пройти через него в соседнюю область. Образующийся при этом ток аналогичен емкостному току.

Однако к этому требуются некоторые пояснения и дополнения. Дело в том, что при инжекции области, примыкающие к p-n - переходу, остаются нейтральными, то есть никакой суммарный заряд в них не появляется. Нейтрализация заряда происходит из-за подхода основных носителей в те области, куда произошла инжекция неосновных носителей. Нейтрализация устанавливается за очень малый промежуток времени - порядка времени максвеловской или диэлектрической релаксации (обычно 10-11…10-12 с). Так как концентрация основных носителей относительно велика и необходимое их количество пополняется невыпрямляющим контактом, нейтрализация получается практически полная. Следует заметить, что нейтрализуется не только заряд в среднем по всей области, но и заряд в каждой точке, т.е. выполняется условие локальной электрической нейтральности.

Несмотря на то, что при инжекции примыкающие к p-n - переходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомнить, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. Но в обычном конденсаторе положительные и отрицательные заряда пространственно разделены (то же самое можно сказать и о p-n - переходе при рассмотрении его барьерной емкости), в то время как при инжекции через p-n - переход и положительный, и отрицательный заряда оказываются в одной и ой же области и пространственно не разделяются, в результате чего не возможно обнаружить область, где проходят токи смещения.

Следовательно, диффузионную емкость можно связать с изменением заряда инжектированных неосновных носителей, но нельзя связать с происхождением тока смещения. В этом существенное физическое отличие диффузионной емкости от барьерной емкости p-n - перехода и от емкости обычного конденсата.

Диффузионную емкость можно представить следующим образом:

(1.5)

Постоянная времени. Если продолжить аналогию полупроводникового диода с конденсатором, то можно выяснит физический смысл постоянной времени Cдиф. Для конденсатора постоянная времени показывает, за какое время его заряд уменьшается в e раз, т.е. постоянная времени характеризует время исчезновения заряда конденсатора.

Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительно, - время жизни неосновных носителей - как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей измениться в е раз из-за рекомбинации.

Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6)

2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния

2.1 Расчет параметров диода

Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и обозначаемых далее как 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диоды. Концентрация примесей в сильно легированных эмиттерных областях составляет ~ 1019 см?3, уровень легирования и толщина базы n-типа определяются максимальным блокируемым напряжением (см. табл. 1).

Таблица 1 - Параметры структуры 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ 4H-SiC р+-n0-п+ диодов

	Концентрация доноров в базе, см?3	Толщина базы, мкм
6-кВ	1·1015	50
10-кВ	3·1014	150
20-кВ	3·1014	200

2.2 Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока

В 4H-SiC диодах при малых плотностях тока основную роль играют генерация и рекомбинация носителей в области пространственного заряда (ОПЗ) р-n-перехода и их диффузионный перенос через базу. В диодах практически отсутствуют "избыточные" токи, связанные с различного рода неоднородностями структуры и обусловленные, например, механизмами полевого и термополевого туннелирования. На рис. 2.1 в качестве примера показаны прямые вольтамперные характеристики (ВАХ) 6-кВ диода, измеренные при температурах 297 и 537 K в диапазоне плотностей прямого тока jпр= 10?7?1 А/см2. В указанном интервале плотностей тока ВАХ хорошо аппроксимируются суммой рекомбинационного (jрек) и диффузионного (jдиф) токов с учетом омического падения напряжения на базе диода jпрrб, где rб - сопротивление базы):

jпр = jрек + jдиф = jобр exp(qVpn/2kT) + jкб exp(qVpn/kT) (2.1)

V = Vpn + jпрrб.

Обратный ток в исследованных 4H-SiC диодах при комнатной температуре настолько мал, что находится за пределами чувствительности измерительной аппаратуры.

Рисунок 2.1 - Прямые ВАХ 6-кВ диода при низких плотностях тока. Т = 297K: jобр = 2.3 • 10?24 А/см2, jкб = 1.5 • 10?45 А/см2, rб = 7.4•10?2 Ом•см2, T = 537K: jобр = 1 · 10-11 А/см2, jэб = 3• 10?21 А/см2, rб = 1.7 · 10-1 Ом • см2.

Заметный обратный ток появляется лишь при температурах свыше 600 K. На рис. 2.2 показана обратная

ВАХ 6-кВ диода, измеренная при температуре 685 K. Как видно из этого рисунка, jк ? (Vбэ + V)1/2 (Vбэ -- контактная разность потенциалов р--n-перехода). Таким образом, обратный ток обусловлен термической генерацией носителей в ОПЗ р--n-перехода.

Рисунок 2.2 - Обратная ВАХ 6-кВ диода при Т = 685 K.

2.3 Модуляция базы при высоких уровнях инжекции

На рис. 2.3 показаны импульсные квазистатические ВАХ 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диодов, измеренные при средних и высоких плотностях прямого тока. Как нетрудно убедиться, в 6-кВ и 10-кВ диодах реализуется достаточно глубокая модуляция базы инжектированными носителями. Так, например, при плотности прямого тока 180 А/см2 дифференциальное сопротивление 10-кВ диода rб = dV/djпр = 1.6 • 10?2 Ом • см2, в то время как омическое сопротивление нeмодулированной базы rб = W/q?пnо = 0.39 Ом • см2 (?п = 800см2/Вс, n0 = 3 • 1014см?3), т.е. в 24 раза больше измеренного дифференциального сопротивления.

Рис. 2.3 - Импульсные квазистатические прямые ВАХ 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диодов. Т = 293 K.

Для 6-кВ диода омическое сопротивление немодулированной базы rб = 6.5 • 10?2Ом • см2 в 16 раз больше, чем rб = 4.1 • 10?3 Ом • cм2. Такая ситуация свидетельствует о достаточно больших величинах коэффициента инжекции эмиттера и времени жизни ННЗ в базе диодов.

С целью определения времени жизни ННЗ изучались переходные процессы в диодах: установление прямого падения напряжения при пропускании ступеньки прямого тока, спад послеинжекционной эдс после обрыва тока, восстановление блокирующей способности диодов после их переключения из проводящего состояния в блокирующее [16].

2.4 Время жизни ННЗ: включение диодов и спад послеинжекционной эдс

На рис. 2.4 показана осциллограмма напряжения на 6-кВ диоде при пропускании прямого тока, быстро нарастающего от нуля до 5 A. Реакция диода на ступеньку тока имеет „индуктивный" характер, что свидетельствует о накоплении в базе высокой концентрации ННЗ. На зависимости V(t) вначале наблюдается всплеск напряжения, амплитуда которого определяется сопротивлением немодулированной базы, а затем, по мере накопления ННЗ в базе напряжение падает до стационарного значения, определяемого сопротивлением модулированной базы. Время установления стационарного состояния (по порядку величины оно сравнимо с временем жизни ННЗ [12]) составляет около 0,6 мкс.

Рис. 2.4 - Осциллограммы тока и напряжения при включении 6-кВ диода.

Т = 293 K. Пунктиром показан результат расчета V(t)

На линейном участке скорость спада эдс (?V/?t) обратно пропорциональна времени жизни ? инжектированных в базу ННЗ [19]:

(2.2)

где кТ -- тепловая энергия. При комнатной температуре рассчитанная таким способом величина ? составляет 0,6 мкс для 6-кВ диода и 1,55 мкс для 10-кВ и 20-кВ диодов. Принимая подвижность дырок в базе ?р = 117см2/В • c, подвижность электронов ?п= 880 см2/В • c, получим, что амбиполярный коэффициент диффузии Da = 2(kT/q)[ ?n?P/(?п + ?р)] = 5,3см2/с. Амбиполярная диффузионная длина ННЗ в базе, La = (Da?)1/2, составляет 17,9мкм для 6-кВ диода и 28,7 мкм для 10-кВ и 20-кВ диодов. Такие диффузионные длины действительно могут обеспечивать достаточно глубокую модуляцию базы в случае 6-кВ и 10-кВ диодов (отношение толщины базы к диффузионной длине ННЗ W/La = 2,8 и 5,2 соответственно). Однако для глубокой модуляции 200-мкм базы 20-кВ диода этого явно недостаточно (W/La = 7.0). Следует однако заметить, что с ростом температуры время жизни ННЗ во всех диодах возрастает в несколько раз, что приводит к уменьшению падения напряжения, несмотря на падение подвижности носителей тока.

2.4 Особенности переходных характеристик диодов с р-базой

Доказано что в отличие от диодов с n-базой, которые демонстрируют довольно „мягкое" восстановление блокирующей способности, диоды с р-базой могут восстанавливаться довольно „жестко". При одних и тех же величинах прямого тока накачки и обратного напряжения максимальный обратный ток в диодах с р-базой существенно больше, и этот ток обрывается очень резко за время меньше одной наносекунды.

Расчетное время обрыва тока в диодах с р-базой оказалось равным 0,5 ± 0,05 нс, тогда как в диодах с n-базой минимальное время обрыва составляло 3 нс. Показано, что главным фактором, определяющим разный характер восстановления, является большая величина отношения подвижностей электронов и дырок в 4H-SiC, b = ?n/?p.

Известно, что скорость „вытягивания" плазмы обратным током значительно выше из прианодной области, чем из прикатодной (в b2 раз до и в b раз после восстановления эмиттерных переходов [9]). В карбиде кремния (р = 7,5) этот процесс проявляется даже более ярко, чем в кремнии (b = 3), и доминирует во всех типах диодов независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности распределения плазмы в высокоомной базе. В диоде с р-базой область, свободная от плазмы, возникает на аноде и, расширяясь со временем, достигает катода раньше, чем успевает восстановиться переход катодного эмиттера. В результате к моменту начала восстановления ОПЗ неравновесные носители практически полностью выносятся из базы обратным током. В этом случае граница восстанавливающейся ОПЗ будет перемещаться в отсутствие ННЗ, т.е. с насыщенной скоростью.

2.6 Расчет ВАХ при высоких плотностях прямого тока: влияние электронно-дырочного рассеяния

На рис. 2.5 показаны ВАХ 6-кВ диода, измеренные при температурах 293?553 K до плотностей тока j = 104 А/см2. Как видно, при достаточно больших плотностях тока имеет место „инверсия" температурной зависимости ВАХ. Точка инверсии приходится на область плотностей тока 2000?3000 А/см2, что более чем на порядок превышает плотность тока инверсии для аналогичных кремниевых структур. Для объяснения этого результата необходим анализ вклада различных нелинейных эффектов, определяющих вид ВАХ в области больших плотностей тока. К ним относятся эффекты, связанные с высоким уровнем легирования эмиттеров: сужение ширины запрещенной зоны, уменьшение подвижности основных носителей заряда, бимолекулярная и оже-рекомбинация. Кроме того, необходим учет взаимного рассеяния подвижных носителей друг на друге -- электронно-дырочного рассеяния (ЭДР). Отметим, что эффекты, обусловленные ЭДР, оказываются чрезвычайно существенными в таких хорошо исследованных материалах, как Ge , Si и GaAs , так как сильно уменьшают подвижность носителей заряда в биполярных приборах при больших плотностях тока.

Для определения параметров ЭДР в 4H-SiC нами был предложен метод, основанный на анализе ВАХ диодных структур в области больших плотностей тока [2]. Составляющая падения напряжения на базе Veh, обусловленная ЭДР, обычно записывается в виде

(2.3)

где ?np = Gp0/p -- подвижность, обусловленная ЭДР. Анализ экспериментальных ВАХ диодов показал, что при Т = 293 K константа Gpo, определяющая подвижность ?np равна 5.8• 1019В?1см?1с?1, а величина qGp0, определяющая вклад ЭДР в ВАХ, -- 9.3 Ом?1 см?1. Отметим, что найденные значения параметров ЭДР в SiC оказываются примерно в 2 раза меньшими, чем в Si, в 4 раза меньшими, чем в Ge, и в 60 раз меньшими, чем в GaAs. Это означает, что влияние ЭДР в SiC оказывается в соответствующее число раз более эффективным, чем в Si, Ge и GaAs.

Рис. 2.5 - Прямые ВАХ 6-кВ диодов. Точки -- эксперимент, сплошные линии -- расчет с учетом ЭДР.

2.7 Методы производства диодов

Кремниевые диоды обычно изготовляются из кремния n-типа со сравнительно большим удельным сопротивлением. К пластинке кремния приваривают проволочку из вольфрама, покрытого алюминием. Алюминий является для кремния акцептором. Полученная область кремния р-типа работает в качестве эмиттера.

Диоды изготовляются главным образом методами сплавления (вплавления) или диффузии (рис. 2.6). В пластинку кремния n-типа вплавляют при температуре около 500 °С каплю алюминия, которая, сплавляясь с кремнием, образует слой кремния р-типа. Область с электропроводностью р-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка сравнительно высокоомного кремния, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке кремния и к алюминию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят высокоомный кремния р-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n-типа.

Следует отметить, что сплавным методом получают так называемые резкие, или ступенчатые, n-р-nереходы, в которых толщина области изменения концентрации примесей значительно меньше толщины области объемных зарядов в переходе.

Рисунок 2.6. - Принцип устройства плоскостных кремниевых диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным (б) методом

Диффузионный метод изготовления n-р-nерехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник. Примесное вещество при этом обычно находится в газообразном состоянии. Для того чтобы диффузия была интенсивной, основной полупроводник нагревают до более высокой температуры, чем при методе сплавления. Например, пластинку кремния n-типа нагревают до 900 °С и помещают в пары алюминия. Тогда на поверхности пластинки образуется слой кремния р-типа. Изменяя длительность диффузии, можно довольно точно получать слой нужной толщины. После охлаждения его удаляют путем травления со всех частей пластинки, кроме одной грани. Диффузионный слой играет роль эмиттера. От него и от основной пластинки делают выводы. При диффузионном методе атомы примеси проникают на относительно большую глубину в основной полупроводник, и поэтому n-р-nереход получается плавным, т. е. в нем толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной ООЗ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Расширилась область применения силовых электронных устройств в сфере бытовой электроники (регуляторы напряжения и др.).

Благодаря интенсивному развитию электроники, начиналось создание нового поколения изделий' силовой электроники. Базой для него явились разработка и освоение промышленностью новых типов силовых полупроводниковых приборов: запираемых тиристоров, биполярных транзисторов, МОN-транзисторов и др. Одновременно существенно повысились быстродействие полупроводниковых приборов, значения предельных параметров диодов и тиристоров, развились интегральные и гибридные технологии изготовления полупроводниковых приборов различных типов, начала широко внедряться микропроцессорная техника для управления и контроля преобразовательными устройствами.

Следует отметить, что использование полностью управляемых быстродействующих полупроводниковых приборов в традиционных схемах существенно расширяет их возможности в обеспечении новых режимов работы и, следовательно, новых функциональных свойств изделий силовой электронной техники.

ВЫВОДЫ

В данной курсовой работе:

- рассмотрена классификация полупроводниковых диодов;

- рассмотрен силовой полупроводниковый выпрямительный диод на основе кремния;

- рассчитаны параметры диода

- изучены методы производства мощных низкочастотных диодов

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Управляемые полупроводниковые вентили: Пер. с англ./Ф. Джентри, Ф. Гутцвиллер, Н. Голоньяк, Э. фон Застров. М.: Мир, 1967. - 356 с.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.

3. Евсеев Ю. А., Дерменжи П. Г. Силовые полупроводниковые приборы: Учебник для техникумов. М.: Энергоиздат, 1981. - 298 с.

4. Силовые полупроводниковые приборы/В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев, Н. А. Соболев и др. // Силовая преобразовательная техника (Итоги науки и техники). М.: ВИНИТИ, 1986. Т. 4. С. 1-108.

5. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов/В. П. Григоренко, П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Т. Т. Мнацаканов. М.: Энергоатомиздат, 1988. - 315 с.

6. Расчет силовых полупроводниковых приборов/П. Г. Дерменжи, В. А. Кузьмин, Н. Н. Крюкова и др. М.: Энергия, 1980. - 242 с.

7. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. с англ./Под ред. И. В. Грехова. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1981. - 315 с.

8. Бениш Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. М.: Сов. радио, 1975. - 196 с.

9. Челноков В. Е., Евсеев Ю. А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 298 с.

10. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. - 99с.

11. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. - 40с.

12. Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1981. - 431 с.

13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.

14. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.

15. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.

16. Батушев В. А. Электронные приборы. - М. , “Высшая школа” 1980. - 383 с.

Страницы: 1, 2

Меню

Расчет и проектирование диода на основе кремния