скачать рефераты

скачать рефераты
Рус Укр Eng
 
 
скачать рефераты скачать рефераты

Меню

Приемники непрерывных сигналов скачать рефераты

p align="left">=(0,8…0,9)

= (50)

Определяем напряжение в нагрузке:

=В (51)

В тракте низкой частоты для обеспечения необходимого усиления целесообразно использование микросхем, некоторые из которых приведены в Приложении 4.

Параметры и схемы включения микросхем серии К226, предназначенные для усиления низкой частоты.

Таблица 4.

Серии МС

(кГц)

К 226 УН1А,Б,С

250…350

0, 2…100

+12,-6

Входная емкость микросхемы не 226 превышает 20пФ.

9. Определение числа каскадов приемника, охватываемых АРУ

В ТЗ приведен коэффициент регулирования АРУ, показывающий динамический диапазон изменения входного и выходного сигнала. Для проведения дальнейших расчетов эти динамические диапазоны надо перевести дБ по напряжению и вычислить динамический диапазон АРУ:

(52)

Число охватываемых каскадов N равняется:

(53)

где - динамический диапазон регулировки одного каскада

(54)

- число охватываемых каскадов АРУ

10.Составление структурной схемы проектируемого приемника

Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4

Рис.4

Особенности построения структурной схемы приемника следующие:

в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;

около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;

ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;

показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;

вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:

для АТ сигналов - АД,

для ЧТ сигналов - ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),

для сигналов с ОМ - СД (синхронный детектор). Обычно СД - это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.

Рис. 5

Рис.6

Приложение 1

Параметры биполярных транзисторов

Тип транзистора

(МГц)

(Ом)

(пФ)

(пС)

Шт (дБ)

(Ом) (Ом)

КТ 342 В

300

200

400

4

700

7

5 50

КТ 306 А

500

30

30

5

500

15

30 100

КТ 306 Б

650

30

60

5

500

15

30 100

КТ 3126 А

500

7

100

2,5

15

8

5 6

КТ 3127 А

600

6

150

1

10

5

5 10

КТ 316 А

600

17

60

3

50

10

15 16,7

КТ 316 Б,В

800

17

120

3

50

10

15 16,7

КТ 316 Г

600

17

100

3

150

10

15 50

КТ 316 Д

800

17

300

3

150

10

15 50

КТ 3128 А

800

7

150

1

5

5

6 5

КТ 397 А

800

25

300

1,3

40

6

20 30,8

КТ 3109 А

800

8

15

1

10

6

7 10

ГТ 311 А

770

8

70

1,8

50

8

8 27,8

ГТ 311 Б

1500

8

80

1,5

100

5,1

8 66,7

ГТ 311 Г

1500

8

60

1,5

75

5,1

8 50

ГТ 311 Д

1500

7

110

1,5

75

5,1

8 50

ГТ 329 А

1200

22

100

2

15

4

10 7,5

Т 341 А

1950

60

60

1

10

4,5

30 10

КТ 382 А

2250

3

330

2

6

3

3 3

КТ 382 Б

2250

3

330

0,7

5,5

4,5

3 2,8

КТ 372 А

2400

20

10

1

9

3,5

8 9

КТ 372 Б

3000

20

10

1

9

3,5

8 9

КТ 371 А

3600

10

200

1,2

10

5

8 8,3

Т 362

4800

5

200

1

10

4

8 10

ГТ 362 Б

4800

5

200

0,5

30

4

8 6

КТ 391 А

7000

8

150

0,7

3,7

4,5

7 5,3

КТ 391 Б

7000

8

150

1

3,7

4,5

7 5,3

КТ 368 А

7000

6

300

1,7

15

3,3

5 2,8

КТ 368 Б

7000

6

300

1,7

15

2,8

5 2,8

КТ 3115 А-2

7500

9

20

0,6

9

5

7 15

КТ 3124 А-2

8000

6

200

0,6

2,5

5

5 4,2

КТ 610 А

10000

12

300

4,1

55

6

10 13,4

КТ 610 Б

7000

12

300

4,1

22

6

5,4

Приложение 2

Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.

При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:

- прямая проводимость (крутизна) транзистора,

- обратная проводимость транзистора,

- выходная проводимость транзистора,

- входная проводимость транзистора.

Таблица 1

Параметры транзистора

Расчетные формулы

где

,

При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.

Таблица 2

Параметры транзистора в схеме с ОЭ

Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ

Приложение 3

Таблица отношений напряжений и мощностей

N (дБ)

N (дБ)

N (дБ)

0

1,0

1,0

2,1

1,27

1,62

7,0

2,2

5,02

0,1

1,012

1,024

2,2

1,29

1,66

8,0

2,5

6,31

0,2

1,024

1,048

2,3

1,31

1,7

9,0

2,8

8,0

0,3

1,035

1,07

2,4

1,32

1,74

10,0

3,2

10,0

0,4

1,047

1,09

2,5

1,34

1,8

11,0

3,58

13,0

0,5

1,06

1,12

2,6

1,35

1,82

12,0

4,0

16,0

0,6

1,07

1,14

2,7

1,365

1,86

13,0

4,5

20,0

0,7

1,085

1,17

2,8

1,38

1,9

14,0

5,02

25,1

0,8

1,097

1,2

2,9

1,4

1,95

15,0

5,67

31,0

0,9

1,11

1,23

3,0

1,42

2,0

16,0

6,31

40,0

1,0

1,12

1,26

3,1

1,437

2,048

17,0

7,1

51,0

1,1

1,135

1,29

3,2

1,45

2,096

18,0

8,0

64,0

1,2

1,148

1,3

3,3

1,47

2,14

19,0

8,96

80,0

1,3

1,161

1,3

3,4

1,486

2,18

20,0

10

100

1,4

1,17

1,3

3,5

1,5

2,24

30,0

32

1,5

1,19

1,4

3,6

1,52

2,28

40,0

100

1,6

1,2

1,4

3,7

1,54

2,34

50,0

320

1,7

1,22

1,48

3,8

1,557

2,4

60,0

1,8

1,23

1,52

3,9

1,57

2,46

70,0

1,9

1,245

1,55

4,0

1,6

2,5

80,0

2,0

1,26

1,6

5,0

1,8

3,2

90,0

6,0

2,0

4,0

100.0

Приложение 4

Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты

Серии МС

(кГц)

К 226 УН1А,Б,С

250…350

0,2…100

+12,-6

К 226 УН2А,Б,С

25…35

0,02…100

+12,-6

К 226 УН3А,Б,С

270…330

0,02…100

+6,-9

К 226 УН4А,Б,С

9…11

0,02…100

+6,-9

К 226 УН5А,Б,С

90…100

0,02…100

+12,-6

Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.

Страницы: 1, 2