скачать рефераты

скачать рефераты

 
 
скачать рефераты скачать рефераты

Меню

Плоская антенная решетка с дискретным фазованием скачать рефераты

p align="left">Устройство управления сканированием ФАР должно выполнять следующие функции:

· прием необходимого углового положения ДН ФАР от другого устройства, например ЭВМ;

· расчет фазы для каждого излучателя ФАР, который выполняется в несколько этапов:

расчет фазы элемента ФАР.

В антеннах с непрерывными фазовращателями фазирование излучающих элементов осуществляется таким образом, чтобы поля от всех излучателей в дальней зоне в заданном направлении складывались синфазно. Для плоской решётки излучателей требуемое фазовое распределение имеет вид:

,

где хn, yn - координаты n-го излучателя в решётке; гл, гл- углы, определяющие направление максимума диаграммы направленности в пространстве; 0-постоянный фазовый сдвиг, величина которого зависит от выбора начала отсчёта фазы.

В нашей решётке, в силу дискретного характера изменения фазы токов в излучающих элементах, требуемое фазовое распределение не может быть реализовано точно, вследствие чего возникают специфические фазовые ошибки ( коммутационные ошибки).

Фазовое распределение реализуемое в решётке, определяется следующим образом:

реалn)=начn)+qn, qn=0, 1, 2, ,

в котором нач-так называемое начальное фазовое распределение в решетке, которое имеет место в том случае, когда все коммутационные фазовращатели находятся в одной и той же позиции; -дискрет изменения фазы, обеспечиваемый коммутационным фазовращателем; qn-число последовательных переключений коммутационного фазовращателя от исходной позиции с дискретом изменения фазы .

В качестве начального фазового распределения нач может быть выбрано фазовое распределение на выходе распределительного устройства.

Коммутационные фазовые ошибки определяются как:

=реал-тр.

Дискретный характер работы фазовращателей приводит к увеличению уровня бокового излучения и к скачкообразному движению луча. Фазирование антенной решётки осуществляется различными способами в зависимости от требуемой точности установки луча или уровня бокового излучения в заданном секторе углов. Одним из распространённых способов является фазирование по наименьшей фазовой ошибке, когда для любого излучателя в решётке выполняется условие

При фазировании решётки в заданном направлении необходимо определить число последовательных переключений каждого фазовращателя от исходной позиции. Эта величина определяется следующим неравенством:

В реальных решётках это неравенство решается электронным вычислителем, и результат передаётся в устройство, управляющее фазовращателями [6].

отбрасывание от полученного фазового сдвига частей кратных 2, так как фазовращатели не могут давать фазовый сдвиг более 360 градусов. Реализацию данного преобразования можно представить в виде:

,

где Е - операция взятия целой части

учет существующего дискрета фазирования, что осуществляется путем дискретизации рассчитанного значения по следующей формуле:

,

где =22,5 градуса - дискрет фазы определенный ранее.

При определении размеров модуля ФВ необходимо учитывать следующие условия:

обеспечение развязки управляющих линий ФВ от проходящей через ФВ СВЧ мощности, что увеличивает размеры каждого ФВ;

расположение ФВ в модуле ФВ таким образом, чтобы его размер по одной из осей (х или y) был меньше, чем шаг решетки (dx или dy), для возможности беспрепятственного размещения модулей.

Так как габариты проектируемого модуля определяется размерами используемых ФВ, проведем оценку их геометрических размеров.

Для ФВ на коммутируемых линиях, реализующего сдвиг (0,) из формулы в [3] задавшись дискретом Ф= и l1=линии/5=3 мм получим:

,

Для ФВ типа коммутируемая линия, реализующего сдвиг (0,/2) из формулы в [3] задавшись дискретом Ф=/2 и l1=линии/5=3 мм получим:

.

Для ФВ типа «нагруженная линия», которые используются для сдвига фазы на /4, /8 расстояние между шлейфами рассчитывается по формуле [3]:

.

А нормированная проводимость реактивных нагрузок там же:

.

Зная проводимость шлейфов и приняв, что для их реализации используется линия с такой же толщиной диэлектрика и металлизированной полоски (т.е. Zш = Zл) длину шлейфов определим по формуле:

.

Тогда все данные можно обобщить в следующей таблице:

Сдвиг фазы

Расстояние между шлейфами l, мм

Нормированная проводимость

Длина шлейфов, мм

/4

4.7

-0,840

2.14

/8

4.2

-0,381

6.55

Следует упомянуть, что для развязки линии питания и управляющей линии диодов по постоянной составляющей надо ставить разделительные емкости. Места установки емкостей указаны на чертеже конструкции фазовращателя. В качестве разделительных емкостей используются емкости, образованные трехслойной конструкцией. Емкость (пФ) определяется при этом по формуле в [5] (все размеры в миллиметрах):

Конструкция емкости на ПЛП:

Материал диэлектрика - брокерит 9 (керамика); :=6,6; tgб=(2..4)*10-4;

Епроб=10кВ/мм ;

Ориентировочные размеры для нашей линии передач (w=4мм) для получения С=90 пФ (для развязки в нашем случае достаточно): L=3мм, t=880 мкм.

Конструкции модуля ФВ приведена в приложении 4.

1.5 Расчет схемы питания

К схеме питания ФАР предъявляются следующие требования:

· обеспечение требуемого амплитудного распределения по элементам антенной решетки;

· обеспечение согласования для передачи требуемой мощности в антенные элементы.

Требуемое амплитудное распределение можно обеспечить с помощью двухмерной елочки, подводящей мощность к каждому элементу решетки в соответствии с амплитудным распределением типа "косинус квадрат на пьедестале", определяемым требуемым уровнем боковых лепестков. Вход первого делителя мощности подключен к линии передач, к выходам последних делителей, подводящих мощность к элементам, подключены модули фазовращателей. Распределение амплитуды тока по ФАР будет задаваться с помощью тройниковых делителей мощности с различными коэффициентами деления в схеме елочки.

Графически распределение амплитуды тока по элементам ФАР можно представить следующим образом. Ток элемента с индексом p,q определяется формулой в [3]:

где

Таким образом, распределение амплитуды тока постоянно во времени и не зависит от углового положения ДН ФАР.

Рассчитаем коэффициенты деления делителей мощности, обеспечивающих требуемое распределение амплитуды тока по элементам. Так как используется схема деления типа елочки с двоичными делителями, то мощности на элементах пропорциональны квадрату амплитуды тока на элементах. Алгоритм расчета состоит в определении для каждого делителя мощностей, подключенных к каждому из его выходов и вычислении их отношения.

Схема питания типа "елочка" на 64 элемента включает в себя 63 двоичных тройниковых делителя, но, поскольку решетка симметрична, достаточно рассчитать четверть решетки. Первые три делителя имеют коэффициент деления равный 1 (К=1). Кроме них в схеме питания еще восемь делителей мощности с неравными между собой коэффициентами деления.

Вычислим их, зная амплитудное распределение по элементам решетки.

Амплитудное распределение тока по элементам:

Распределение мощностей пропорционально квадрату распределения амплитуд. Для каждого из делителей определяются мощности, подключенные к каждому из его выходов. Отношение этих мощностей и будет коэффициентом деления. Зная коэффициенты деления и волновое сопротивление полосковой линии, рассчитаем электрические и конструктивные параметры двоичных тройниковых делителей, реализованных на ПЛП по формулам в [3]:

Примем

Выше приведена схема реактивного параллельного тройникового делителя мощности. Все входные линии имеют одинаковые волновые сопротивления . К точке разветвления подключены четвертьволновые трансформаторы с волновыми сопротивлениями 1, 2, 3. При заданном коэффициенте деления такой делитель может быть согласован с одного из входов (в нашем случае с первого). На несимметричных полосковых ЛП конструктивно такой делитель реализуется изменением ширины полоски b - область четвертьволновых трансформаторов.

В результате получаем:

К

2, Ом

3, Ом

1

90,382

118,411

0,846

83,729

129,601

0,865

110,702

198,117

0,593

161,091

254,121

0,856

110,195

199,348

0,808

107,656

206,182

0,801

107,279

207,302

0,612

98,144

248,418

0,608

98,008

249,347

Проводимость излучателей определяется следующим образом

, где j- номер элемента в столбце.

, .

Излучатели

1

2

3

4

5

6

7

8

Gвх,мСм

0,22

1,77

6,5

12

12

6,5

1,77

0,22

a, мм

2,1

17

61

109

109

61

17

2,1

2 Электрические характеристики антенны

2.1 ДН одиночного элемента

ДН одиночного антенного элемента применяемого в данной антенне описывается формулой в [3]:

Для выбранного параметра одиночного излучателя графики ДН в главных плоскостях приведены в приложении 1. По приведенным графикам видно, что ДН данного излучателя удовлетворяет требованию по ширине ДН по уровню -3дБ в главной плоскости.

2.2 ДН ФАР

ДН ФАР в общем виде может быть рассчитана по следующий формуле в [3]:

где:

Графики ДН ФАР при нормальном и максимально отклоненном положении луча приведены в приложениях 2 и 3. Видно, что при фазировании происходит рост боковых лепестков и расширение ДН.

Заключение

В результате выполнения данной курсовой работы были рассчитаны параметры одиночного излучателя ФАР, схема питания и фазирования антенной р
ешетки, получены диаграммы направленности ФАР при нормальном положении луча, удовлетворяющие заданным параметрам по уровню боковых лепестков. Выбранный дискрет фазирования оказывает небольшое паразитное влияние на ДН в виде расширения луча и роста уровня боковых лепестков.

По итогам расчета и приведенным графикам ДН ФАР можно сказать, что требуемое техническое задание выполнено, т.е антенная решетка обеспечивает характеристики, соответствующие заданным. Расширение луча и рост боковых лепестков при сканировании можно было бы уменьшить, либо увеличив число излучателей в ФАР, либо уменьшив дискрет фазирования. Однако, на мой взгляд, идеальной ДН добиться бы не удалось, а полученный выигрыш в характеристиках решетки будет несравним с экономическими затратами на его реализацию. Спроектированная решетка в этом отношении наиболее оптимальна.

Список литературы

Фельдштейн А.Л., "Справочник по элементам волноводной техники", 1967 г.

Чернушенко А.М., "Конструкции СВЧ устройств и экранов", М.: Радио и связь, 1990 г.

"Проектирование антенных устройств СВЧ", методические указания к курсовому проекту, под ред. Наймушина М.П., Панченко Б.А., Екатеринбург, УГТУ-УПИ, 1993 г.

"Справочник конструктора РЭА: компоненты, механизмы надежность", Под ред. Р.Г. Варламова, М., Радио и связь, 1985 г.

"Микроэлектронные устройства СВЧ" под ред. проф. Г.И. Веселова; М.: В.ш. 1988 г.

"Антенны и устройства СВЧ" под. ред. проф. Д. И. Воскресенского; М.: "Сов. Радио", 1972 г.

А. З. Фрадин. "Антенно-фидерные устройства". М.: "Связь", 1977 г.

Сазонов Д.М. и др., "Устройства СВЧ", М.: Высш. школа, 1981 г.

Марков Г.Т., Сазонов Д.М., "Антенны", М.: Энергия, 1975 г.

Приложение 1

ДН одиночного излучателя

в плоскости XZ

в плоскости YZ

Приложение 2

ДН ФАР при нормальном положении луча

Приложение 3

ДН ФАР при максимальном отклонении луча

Приложение 4

Конструкция модуля фазовращателей

Страницы: 1, 2