скачать рефераты

скачать рефераты

 
 
скачать рефераты скачать рефераты

Меню

Оптичні випромінюючі прилади скачать рефераты

p align="left">Таблиця 2. Основні типи речовин у сучасних світлодіодах

Речовина

Довжина хвилі, нм

Квантовий вихід, %

Колір свічення

InGaAsP

InGaAsP

GaAs:Si

GaAs:Zn

GaP:Zn,O

GaAsP

AlGaAsP

GaAsP:N

AlInGaP

GaP:N

GaAsP:N

AlInGaP

AlInGaP

GaP:N

GaP:N

InGaN

ZnTeSe

GaN

ZnCdSe

SiC

InGaN

1550

1300

950

900

700

700

650

630

620

590

590

585

570

565

550

514

512

490

489

470

450

3-8

3-8

12

2

2-4

0,2

16

0,2-0,3

6

0,1

0,12

5

1

0,4

0,7

2,6

5,3

0,003

1,3

0,03

3,8

Інфрачервоний

Інфрачервоний

Інфрачервоний

Інфрачервоний

Червоний

Червоний

Червоний

Червоний

Червоно-помаранчевий

Помаранчевий

Помаранчевий

Помаранчево-жовтий

Жовтий

Жовтий

Жовто-зелений

Зелений

Зелений

Блакитний

Блакитний

Синій

Синє-фіолетовий

Ширина спектру випромінювання залежить від механізму випромінювальної рекомбінації. Для випромінювачів на AlGaAs ширина спектру складає 30-45 нм, для світлодіодів на InGaAsP - 100-110 нм.

Зовнішній квантовий вихід випромінювання світлодіодів завжди менше за внутрішній, бо з кристалу може вийти лише частина фотонів, що виникла при рекомбінації. Повне внутрішнє відбиття призводить до того, що з кристалу може вийти тільки та частина випромінювання, яка падає на його поверхню в деякій зоні кутів. Наприклад для GaP показник переломлення n=3,3, а кут =17,7. В цих умовах через пласку поверхню (рис.16,а) може вийти лише 2% світла, що випромінюється p-n переходом.

Рис.16. Конструкції світло діодів: а) пласка; б) p-n перехід на мезі; в) з напівсферою; г) з пластмасовою лінзою.

На цьому рисунку: а - плаский кристал, б - мезаструктура, в - полу сферичний кристал, г - структура з лінзою; 1 - напівпровідник, 2 - p-n перехід, 3 - металічний контакт, 4 - пластмасова лінза. Функцію виходу можна підвищити, розміщуючи p-n перехід на так званій мезі - столоподібному виступі діаметром 0,1-0,2 мм (рис.16,б). Частина випромінювання відбивається від бокових граней та спадає на бокову поверхню під кутами, близькими до нормальних. Це дозволяє підвищити вихід випромінювання у 2-3 рази. Приблизно на порядок підвищується зовнішній квантовий вихід у світлодіодах, виконаних у вигляді напівсфери (рис.16,в), або споряджених пластмасовою лінзою (рис.16,г), оскільки повне внутрішнє відбиття в них практично виключається. Вихід можна підвищити ще приблизно у 1,5 рази, наносячи на поверхню просвітлюючи покриття, наприклад, плівки SiO, SiO2, Si3N4 тощо.

Кутове розходження випромінювання світло діодів сильно залежить від їх геометрії і по рівню половинної інтенсивності приймає значення від 10 до 180 9типові значення 50-60).

По способу виведення випромінювання світлодіоди поділяються на поверхневі та торцеві (рис.17, де 1 - металічний контакт, 2 - підшарок n-GaAs, 3 - емітер N-AlGaAs, 4 - активний шар p-GaAs. 5 - емітер P-AlGaAs, 6 p+-GaAs, 7 - ізолятор SiO2, 8 - тепловідвід, 9 - випромінювання, 10 - оптичне волокно, 11 - епоксидна смола, 12 - металічний контакт, 13 - підшарок n GaAs, 14 - емітер N-AlGaAs, 15 - активний шар n-GaAs, 16 - емітер P AlGaAs, 17 - p--GaAs, 18 - ізолятор SiO2, 19 - тепловідвід, 20 - випромінювання).

Рис.17. Світло діоди: а) поверхневі; б) торцові.

У світлодіодах з поверхневим випромінюванням (рис.17,а) світло виводиться нормально до поверхні p-n переходу. Одна зі сторін кристалу притискається до тепловідводу, а випромінювання виводиться в оптичне волокно через отвір у підшарку. Зовнішній квантовий вихід у таких світло діодів складає 2-3%.

У торцевих світлодіодах (рис.17,б) випромінювання виводиться паралельно площині p-n переходу. Світло, розповсюджуючись уздовж активного шару має сильне самопоглинання, тому зовнішній квантовий вихід у торцевих світлодіодах нижче (0,5-1%). Але яскравість торцевих світло діодів приблизно у 5-10 разів вища за поверхневі.

Типи світлодіодних структур

Одиночні світлодіоди працюють у діапазонах інфрачервоного та видимого світла, хоча у останній час з'явились повідомлення про створення ультрафіолетових світлодіодів.

По конструкції вони поділяються на світлодіоди з поверхневим монтажем (рис.18,а), світлодіоди для монтажу скрізь отвори (по англійськи through hole) - рис.18, б та світлодіодні лампи - рис.18,в.

а)

б)

в)

Рис.18. Конструкції світло діодів: а) для поверхневого монтажу; б) для монтажу крізь отвори; в) світлодіодні лампи.

По формі перерізу світлодіоди можуть бути круглими, прямокутними, трикутними та ін. Вони використовуються у колах індикації різних приладів. У останній час з'явились світло діоди повищенної яскравості (так звані „суперяскраві світлодіоди”). За останніми даними яскравість одного світлодіода може складати до 25 кандел. Такі світлодіоди використовують у світлофорах, зовнішньому оздобленні архітектурних конструкцій і навіть для освітлювальних приладів.

Виготовляють також двох- або трьохкольорові світлодіоди, які складаються з окремих світлодіодів, але підбором струмів світлодіодів можна одержати цілу гаму різних кольорів.

Шкальні індикатори - прилади, в яких світлодіоди розміщуються у вигляді послідовних смужок. Вони використовуються для індикації рівня сигналу в аудіо- та відео апаратурі. Можливі режими поодинокого світіння світлодіоду у смужці, коли номер світлодіоду характеризує рівень сигналу, але частіше використовується режим, коли світиться ряд світлодіодів, чим більше їх світиться, тим більше рівень сигналу. Приклад конструкції шкального індикатору показаний на рис.19.

Рис.19. Конструкція шкального індикатору

Для стереоапаратури виготовляють шкальні індикатори з двома смужками світлодіодів, як правило, різних кольорів.

Різновидністю шкальних індикаторів є так звані „кластери”, в яких світлодіоди розташовують у круглій обіймі. Тут також кількість світлодіодів, що горить, показує рівень сигналу, але є інші варіанти використання. На рис.20 показана структура кластера.

Рис.20. Структура кластеру.

У склад кластерів можуть входити світлодіоди різних кольорів (наприклад, червоного, зеленого та синього) та в різній кількості (від 18 до 50).

Цифро-буквенні світлодіодні індикатори

Це звичайно інтегральна мікросхема зі світлодіодних структур (у вигляді сегментів, або точкових елементів) та необхідних електричних з'єднань. Сегменти або смужки зі світлодіодів розташовують так, щоб за допомогою комбінаційного збудження одержати зображення букв або цифр. По кількості сегментів бувають 7, 8, 14, 17-сегментні індикатори, а також індикатори матричного типу з 35 точками (матриця 5х7 елементів). По кількості розрядів можуть бути одно розрядні та багаторозрядні індикатори.

На рис.21 показане розміщення сегментів на 8-сегментному індикаторі.

Рис.21. Восьмисегментний індикатор

Сім сегментів (a, b, c, d, e, f, g) використовуються для утворення зображення цифри, восьмий сегмент (DP) - точка. Такі індикатори випускають з розмірами цифри від 5 до 80 мм. Одиночні індикатори об'єднують в групи по 2, 3, 4 та більше цифр.

Для зображення цифр та букв необхідно мати більше сегментів. На рис.22 показана конфігурація 17-сегментного індикатора фірми Sharlight.

Рис.22. 17 - сегментний індикатор.

При такій кількості сегментів можна зобразити окрім цифр, усі букви європейських язиків та допоміжні знаки. Звичайно, керувати таким індикатором набагато важче, ніж 7 або 8-сегментним.

Матричні індикатори - матриці з одиночних світлодіодів, розміщені у вигляді прямокутної матриці з К рядів та Р колонок. Звичайно, така матриця має конструкцію 7х5, або 35 точок, хоча є матриці 4х4 та 8х8. Схема такої матриці показана на рис.23. Матриця складається з КхР світлодіодів, анод кожного світло діода підключений до шини колонки, а катод - до шини ряду. Він запалиться лише коли на відповідну колонку подати напругу живлення, а ряд замкнути на землю. Тому світлодіоди у матриці можна запалювати тільки по черзі, перебираючи усі КхР положень і включаючи тільки ті, що потрібні для формування заданого знаку.

Рис.23. Схема матричного індикатору.

Розрахунок драйвера світлодіодів

При розробці драйверів для світлодіодів, шкальних індикаторів, семисегментних та інших дисплеїв необхідно досягти оптимального світлового виходу. розсіювання потужності надійності і можливо більшого строку експлуатації. параметри кожного світлодіодного приладу наведені в листах даних (максимально допустимі параметри, оптичні та електричні параметри).

Вихідними критеріями є максимальний струм драйвера і максимальна температура переходу у світлодіоді. Остання є різницею між зовнішньою температурою і температурою переходу Tjmax. Ця різниця визначається як добуток розсіюваної потужності PD та термічного опору переходу RL: ?Т = PD RL. Дані по термічному опору світло діодів та індикаторів наводяться у листах даних. Важливо не доводити світлодіоди та індикатори до граничної температури переходу.

На рис.24 показана типова вольт-амперна характеристика світло діоду (по горизонталі - пряме падіння напруги, по вертикалі - прямий струм.

Рис.24. Типова вольт-амперна характеристика світлодіоду.

Розсіювана потужність визначається як добуток прямого струму на падіння напруги. Розрахунок інтенсивності освітлення при температурі +25С може бути поширений на будь-яку температуру за допомогою рівняння:

Imax(T) = Imax(+25C)exp[k(T-25C)],

де коефіцієнт k може бути визначений по табл.3.

Таблиця 3. Температурний коефіцієнт світлодіоду

Тип світлодіода

k/C

Стандартний червоний

-0,0188

Високоефективний червоний

-0,0131

Жовтий

-0,0112

Зелений

-0,0104

DH AlGaAs

-0,0095

TS AlGaAs

-0,0130

AlInGaP

-0,0100

TS AlInGaP

-0,0100

Приклад розрахунку

Схема драйвера наведена на рис.2

Рис.2 Електрична схема драйвера

У схемі рис.25 можуть бути різні типи світло діодів. різна їх кількість, різна напруга живлення Uп. Потрібно визначити номінал баластного резистора R2 та його потужність. Порядок розрахунку наступний. Визначимо тип світлодіода, температуру зовнішнього середовища.

Шаг 1. Термічний опір світлодіода за листом даних, наприклад, 260С/Вт. Визначимо загальний термічний опір як 500С/Вт. Тоді на кріплення світло діода прийдеться Rh = 500-260 = 240(C/Вт). На рис.26 представлені графіки залежності максимального струму для даного світлодіода від зовнішньої температури та допустимої потужності розсіяння.

Рис.26. Залежність максимального струму від зовнішньої температури

Шаг 2. За рис.26 по суцільній лінії визначимо, що при температурі 60С максимально допустимий струм складає 42 мА.

Шаг 3. По вольтамперній характеристиці рис.24 визначаємо, що при струмі 42 мА падіння напруги на світло діоді дорівнює U=2,52 В. Звідси розсіювана потужність складає Р=2,52?0,042=0,106 Вт. Тоді температура переходу: Tj = +60C +0,106?500 = 113C, що вище допустимої по листу даних (+110С). Тому знизимо струм до 35 мА, по характеристиці знайдемо U=2,4 В, розсіювана потужність дорівнює 0,084 Вт, температура переходу +102С, що вже допустимо.

Шаг 4. Розрахуємо баластний резистор. Наприклад напруга джерела живлення +5 В, напруга насичення транзистора 0,1 В, тоді

R2 = (5 - 0,1 -2,4)/0,035 = 71,43 Ом.

Найближчий зверху номінал дорівнює 75 Ом. Потужність резистора при струмі 35 мА складає 0,092 Вт. Необхідно мати хоча б дворазовий запас по потужності. тому вибираємо потужність резистора 0,25 Вт.

6. Органічні світлодіоди

У 1987 р. Чин Тан та Стівен Ван з Eastmen Kodak одержали випромінювання світла з двохшарової органічної структури, що нагадувала p-n перехід. Вони використовували деякі органічні фарби, подібні до ксерографічних матеріалів і одержали ефективність 1%. У 1990 р. дослідники з Кембриджського університету в Англії одержали подібний ефект в полімерній тонкій плівці, що складалась з поліпаравінілена. Теорія роботи таких з'єднань досить складна. Прикладена зовнішня напруга переміщує електрони і дірки в зону рекомбінації, де вони формують нейтральну структуру - екситон. формуються два типи екситонів: сигнети та триплети. Сигнет рекомбінує швидко (за кілька наносекунд), випромінюючи фотон, а триплет рекомбінує повільно (від 1 мс до 1 с), випромінюючи тепло. Але внесення в органічні молекули таких важких металів, як ірідій або платина призводить до змішування їх властивостей, тому випромінювання фотону відбувається за час від 100 нс до 10 мкс.

Для одержання кольорових дисплеїв потрібно керувати світінням трьох випромінюючих елементів червоного, зеленого та синього кольору. Для формування трьох кольорів запропоновані декілька методів, схеми яких показані на рис.27.

Рис.27. Схеми формування трьохколірного зображення: а) присадка з важкого металу в органічному шарі; б) оптична фільтрація випромінювання; в) середовище зі змінюваним кольором; г) три прозорих елемента з незалежним керуванням.

В першому методі припускається фото літографічне нанесення на прозорий анод з оксида індія-олова колонок електродів (підпікселів), у кожному з яких в органічний шар вноситься „своя” присадка з важкого металу (рис.27,а). Незважаючи на показну простоту, технологія виявляється складною та дорогою. Але фірми Sanyo та Kodak продемонстрували такі пласкі кольорові панелі.

Інший метод - оптична фільтрація випромінювання елемента з білим освітленням (ОСП -окремий світловий піксель) - рис.27,б. Але в цьому методі знижена ефективність випромінювання, бо великі втрати у фільтрах.

Менші втрати одержують, якщо замість фільтра використовувати середовище зі змінюваним кольором (рис.27,в). Це матеріал, який під дією блакитного випромінювання виробляє зелене або червоне світло в залежності від домішок.

В конструкції рис.27,г є три прозорих світловипромінюючих елементи з червоним, зеленим або синім випромінюванням, накладені один на інший з незалежним керуванням.

Вже зараз є декілька експериментальних дисплеїв великого розміру з органічних світло діодів. Їх головна перевага - гнучкість та мала товщина, що дозволяє накладати їх на об'єкти будь-якої форми. Вже серійно випускають такі дисплеї для сотових телефонів.

Страницы: 1, 2, 3